Détails sur le produit:
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Matériel: | Silicium | Paquet: | SMA (DO-214AC) |
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Max. Forward Current: | 1A | Tension inverse maximale: | 200V |
Tension en avant maximale: | 1V | Max. Reverse Current: | 5uA |
trr: | 35NS | Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C |
Surligner: | diode de smd de 35ns es1d,redresseur rapide superbe de 1A 200V,faites la diode 214ac |
Dimension de produit
Caractéristiques du produit
SYMBOLES | ES1A | ES1B | ES1C | ES1D | ES1E | ES1G | ES1J | UNITÉS | ||
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Tension inverse maximale répétitive maximum
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VRRM
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50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 |
VOLTS
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Tension maximum de RMS
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VRMS
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35 | 70 | 105 | 140 | 210 | 280 | 420 |
VOLTS
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Tension de blocage maximum de C.C
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Volts continu
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50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 |
VOLTS
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La moyenne maximum a en avant rectifié actuel au ℃ TL=55
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JE (POIDS DU COMMERCE)
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1 |
Ampères
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Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
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IFSM
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30 |
Ampères
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Tension en avant instantanée maximum à 1.0A
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VF | 0,95 | 1,25 | 1,7 |
Volts
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Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C
à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃
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IR
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5,0 50,0 |
µA | |||||||
Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1)
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trr
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35 | NS | |||||||
Capacité de jonction typique (NOTE 2)
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CJ
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15 | PF | |||||||
Résistance thermique typique (NOTE 3)
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RθJA
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60 | ℃/W | |||||||
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
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TJ, TSTG
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-55 à +150
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℃ |
Personne à contacter: Ms. Selena Chai
Téléphone: +86-13961191626
Télécopieur: 86-519-85109398